据韩国媒体2月3日下午报道，首尔东部支检刑事6部今日表示，三星电子的半导体核心技术先后6年期间经由合作企业，被泄露到海力士半导体。
首尔东部支检刑事6部3日表示，对半导体设备企业A公司副社长郭某(47岁)和A公司韩国法人公司部长金某(41岁)进行了拘留起诉，对其他7名职员进行了非拘留起诉。上述这些人涉嫌将三星电子半导体制作技术和营业机密泄露至海力士，涉嫌违背有关防止不正当竞争和保护营业机密的法律。
检方同时还对接受营业机密的海力士专务韩某(51岁)也进行了拘留起诉，并对涉案的三星电子科长南某(37岁)和其他8名职员进行了不拘留起诉。对泄露机密的原三星电子任首席研究员罗某(现在A公司就职)发布了通缉令。
检方介绍说，郭某和职员金某等人合谋，从2005年3月开始，共偷取95件有关三星电子 DREAM和存储器制作工程的营业机密，并将其中的13件转交给海力士。总管海力士半导体制作的韩某涉嫌接收9件偷取的相关营业机密。三星电子科长南某涉嫌于2008年4月在美国硅谷将三星电子DREAM和NAND闪存以及下一代半导体开发计划等泄露给对方。
这次技术泄露事件给三星电子造成了数千亿韩元(推测值)的直接损失，而间接损失将达到数万亿韩元。
