半导体市场景气回温，台积电、联电、特许等晶圆代工厂今年将投入数亿美元资本支出，投入28奈米高介电金属闸极（high-k/metalgate，HKMG）技术竞赛。而在台积电及联电去年相继宣布32及28奈米HKMG制程完成良率验证后，以IBM为首的通用平台（CommonPlatform）也宣布明年下旬提供28奈米HKMG制程量产服务。许多芯片大厂在不景气时期加速了制程微缩速度，包括高通（Qualcomm）、英伟达（NVIDIA）、超威、赛灵思（Xilinx）、阿尔特拉（Altera）等国际大厂，45及40奈米制程新订单已于今年第二季下旬，陆续在台积电、联电、特许等晶圆代工厂投片量产。由于芯片厂通常会在新一世代制程投片量产时，开始与代工厂商合作下一世代的新制程研发，所以晶圆代工厂已经正式进入了32及28奈米技术竞赛。
以IBM为首的通用平台，已经与三星、特许、英飞凌、Globalfoundries、意法半导体等平台成员共同合作，在去年底开发出32奈米HKMG制程后，昨日再宣布成功发开出28奈米HKMG技术。IBM方面表示，3月已开放客户取得相关设计资源，希望明年下旬就可量产，客户可以在不更改32奈米设计的情况下，直接微缩导入28奈米世代。
联电在去年10月底成功产出第一个全功能28奈米制程SRAM（静态随机存取内存）芯片后，同时完成了28奈米SRAM工作芯片与HKMG制程实体验证上的成功，联电规划2010年下旬推出32及28奈米HKMG技术。至于龙头大厂台积电在32及28奈米的进度较快，去年第三季底时已宣布，将28奈米制程定位为全世代（fullnode）制程，同时提供HKMG及氮氧化硅（SiON）材料等两种选择。台积电现在已经提供客户28奈米晶圆共乘服务（CyberShuttle），供客户开始进行产品试制，正式量产时间约在2010年第一季.
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